Только для справки
| номер части | FDS8670 |
| LIXINC Part # | FDS8670 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDS8670 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDS8670 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 21A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.7mOhm @ 21A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 82 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4.04 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOIC |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| SPD02N80C3ATMA1 | MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 | 851 Подробнее о заказе |
|
| SI2319CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3 | 935 Подробнее о заказе |
|
| IRLI540NPBF | MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB | 2743 Подробнее о заказе |
|
| STB21N65M5 | MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK | 1397 Подробнее о заказе |
|
| SI4420BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO | 3674 Подробнее о заказе |
|
| IRFR9110TRLPBF | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK | 3822 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ650 | MOSFET P-CH 60V 12A TO220ML | 523383 Подробнее о заказе |
|
| FQB32N12V2TM | MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK | 51891 Подробнее о заказе |
|
| TSM018NA03CR RLG | MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN | 5626 Подробнее о заказе |
|
| UF3C120080K3S | SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3 | 1407 Подробнее о заказе |
|
| AON6516 | MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN | 1000 Подробнее о заказе |
|
| ISC026N03L5SATMA1 | MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON | 11100 Подробнее о заказе |
|
| R6012ANX | MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM | 834 Подробнее о заказе |
| В наличии | 26403 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.72000 | $0.72 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.