Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDS6680S

FDS6680S
Увеличить

Только для справки

номер части FDS6680S
LIXINC Part # FDS6680S
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDS6680S След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDS6680S Технические характеристики

номер части:FDS6680S
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:11.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.01 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SOIC
упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6680S Документы

if FDS6680S PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTA4151PT1 NTA4151PT1 MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 878

Подробнее о заказе
STW52NK25Z STW52NK25Z MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3 2124

Подробнее о заказе
IPT210N25NFDATMA1 IPT210N25NFDATMA1 MV POWER MOS 931

Подробнее о заказе
FQD6N60CTM FQD6N60CTM MOSFET N-CH 600V 4A DPAK 2315

Подробнее о заказе
FDMA510PZ FDMA510PZ MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET 3996

Подробнее о заказе
VS-FC270SA20 VS-FC270SA20 MOSFET N-CH 200V 287A SOT227 1336

Подробнее о заказе
FQI32N20CTU FQI32N20CTU MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK 2740

Подробнее о заказе
MCH3427-TL-E MCH3427-TL-E MOSFET N-CH 20V 4A 3MCPH 54881

Подробнее о заказе
SIHB15N50E-GE3 SIHB15N50E-GE3 MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK 1866

Подробнее о заказе
SI7110DN-T1-GE3 SI7110DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 3907

Подробнее о заказе
IPW90R340C3FKSA1 IPW90R340C3FKSA1 MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 1096

Подробнее о заказе
IXTA6N100D2HV IXTA6N100D2HV MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV 1942

Подробнее о заказе
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323 126601

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 61544 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.48000$0.48

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top