SCT3120ALGC11 | ROHM Semiconductor SCT3120ALGC11 | SCT3120ALGC11 Inventory, Best Pricing

SCT3120ALGC11

Увеличить

Только для справки

номер части	SCT3120ALGC11
LIXINC Part #	SCT3120ALGC11
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SCT3120ALGC11 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SCT3120ALGC11 Технические характеристики

номер части:	SCT3120ALGC11
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	21A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.6V @ 3.33mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 18 V
ВГС (макс.):	+22V, -4V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 500 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	103W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-247N
упаковка / чехол:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015