Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD30N06S4L23ATMA2
LIXINC Part # IPD30N06S4L23ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD30N06S4L23ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD30N06S4L23ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD30N06S4L23ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 10µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1560 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):36W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD30N06S4L23ATMA2 Документы

if IPD30N06S4L23ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8 947

Подробнее о заказе
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 MOSFET N-CH 600V 42A TO247AD 20539

Подробнее о заказе
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3 6641

Подробнее о заказе
2SK2858-T1-A 2SK2858-T1-A MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP 38810

Подробнее о заказе
R5019ANJTL R5019ANJTL MOSFET N-CH 500V 19A LPTS 1902

Подробнее о заказе
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 3120

Подробнее о заказе
RTQ020N03TR RTQ020N03TR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 3380

Подробнее о заказе
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF MOSFET P-CH 30V 10A 8SO 18858

Подробнее о заказе
FDPF20N50FT FDPF20N50FT MOSFET N-CH 500V 20A TO220F 987

Подробнее о заказе
IRF1405ZSTRLPBF IRF1405ZSTRLPBF PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM, 1563

Подробнее о заказе
BUK9107-40ATC,118 BUK9107-40ATC,118 BUK9107-40ATC - D2PAK 850

Подробнее о заказе
AOSP21321 AOSP21321 MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 986

Подробнее о заказе
IPB65R225C7ATMA2 IPB65R225C7ATMA2 MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 846

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11225 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.83000$0.83
2500$0.32158$803.95
5000$0.29940$1497
12500$0.28831$3603.875
25000$0.28226$7056.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top