Только для справки
| номер части | IPAW60R190CEXKSA1 |
| LIXINC Part # | IPAW60R190CEXKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPAW60R190CEXKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPAW60R190CEXKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 26.7A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 630µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1400 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 34W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220 Full Pack |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
| IXFP26N50P3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB | 984 Подробнее о заказе |
|
| NTP2955 | MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB | 986 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C442NLWFT3G | MOSFET N-CH 40V 27A/127A 5DFN | 930 Подробнее о заказе |
|
| SCH1439-TL-H | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6SCH | 160621 Подробнее о заказе |
|
| ZVN4306A | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | 5878 Подробнее о заказе |
|
| SI2304BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | 15236 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN10A11GTA | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 483919965 Подробнее о заказе |
|
| NTMS4800NR2G | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC | 25200 Подробнее о заказе |
|
| IRF9333TRPBF | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO | 930 Подробнее о заказе |
|
| AON7442 | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN | 869 Подробнее о заказе |
|
| IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA | 900 Подробнее о заказе |
|
| CSD19531Q5AT | MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON | 1068 Подробнее о заказе |
|
| IXTN210P10T | MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B | 937 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11542 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.10000 | $2.1 |
| 10 | $1.91091 | $19.1091 |
| 450 | $1.39684 | $628.578 |
| 900 | $1.12682 | $1014.138 |
| 1350 | $1.04324 | $1408.374 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.