Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD80R4K5P7ATMA1

IPD80R4K5P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD80R4K5P7ATMA1
LIXINC Part # IPD80R4K5P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD80R4K5P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD80R4K5P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD80R4K5P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:4.5Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:80 pF @ 500 V
Фет-функция:Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):13W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-252
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD80R4K5P7ATMA1 Документы

if IPD80R4K5P7ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 MOSFET N-CH 650V 10A TO252-3 3417

Подробнее о заказе
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK 968

Подробнее о заказе
TSM2303CX RFG TSM2303CX RFG MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23 3373

Подробнее о заказе
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 6576

Подробнее о заказе
NVMFS4C302NWFT1G NVMFS4C302NWFT1G MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN 810

Подробнее о заказе
IPP65R380E6XKSA1 IPP65R380E6XKSA1 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3 2849

Подробнее о заказе
IRFUC20PBF IRFUC20PBF MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA 3772

Подробнее о заказе
CSD17581Q5AT CSD17581Q5AT MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON 1933

Подробнее о заказе
STW26NM60N STW26NM60N MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 2172

Подробнее о заказе
RZL025P01TR RZL025P01TR MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 3580

Подробнее о заказе
STL65N3LLH5 STL65N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT 5520

Подробнее о заказе
AON6154 AON6154 MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN 854

Подробнее о заказе
RM11N800TI RM11N800TI MOSFET N-CHANNEL 800V 11A TO220F 928

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10868 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.78000$0.78
2500$0.35012$875.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top