IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB120P04P4L03ATMA1
LIXINC Part # IPB120P04P4L03ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB120P04P4L03ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB120P04P4L03ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB120P04P4L03ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 340µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:234 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:15000 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NDT014 NDT014 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 6916

Подробнее о заказе

AOB409L AOB409L MOSFET P-CH 60V 5A/31.5A TO263 840

Подробнее о заказе

G3R160MT17D G3R160MT17D SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 1391

Подробнее о заказе

IRF740ALPBF IRF740ALPBF MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK 1493

Подробнее о заказе

STW15NM60N STW15NM60N MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3 875

Подробнее о заказе

APT50M75JLLU3 APT50M75JLLU3 MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 827

Подробнее о заказе

FQD5N60CTM FQD5N60CTM POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 897

Подробнее о заказе

ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6 48479

Подробнее о заказе

STW40N95K5 STW40N95K5 MOSFET N-CH 950V 38A TO247 1039

Подробнее о заказе

SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC75A 13542

Подробнее о заказе

RM78N100LD RM78N100LD MOSFET N-CH 100V 78A TO252-2 897

Подробнее о заказе

FQB5N90TM FQB5N90TM MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK 170214589

Подробнее о заказе

NTD5804NT4G NTD5804NT4G MOSFET N-CH 40V 69A DPAK 62100

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11020 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.09000$3.09
1000$1.31839$1318.39
2000$1.22747$2454.94
5000$1.18200$5910

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top