Только для справки
| номер части | IPB65R095C7ATMA2 |
| LIXINC Part # | IPB65R095C7ATMA2 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB65R095C7ATMA2 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB65R095C7ATMA2 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ C7 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 24A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 95mOhm @ 11.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 590µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2140 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 128W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| STWA48N60M2 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 | 888 Подробнее о заказе |
|
| XP262N70023R-G | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3 | 3931 Подробнее о заказе |
|
| STP78N75F4 | MOSFET N-CH 75V 78A TO220AB | 2366 Подробнее о заказе |
|
| IRFL110TRPBF | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | 5912 Подробнее о заказе |
|
| AON2403 | MOSFET P-CH 12V 8A 6DFN | 903 Подробнее о заказе |
|
| FDMC8015L | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | 340419 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R2-30YLC,115 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | 963 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N04S2H4-ATMA2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1839 Подробнее о заказе |
|
| TK4A60D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS | 871 Подробнее о заказе |
|
| STL36N60M6 | MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV | 3877 Подробнее о заказе |
|
| TK290A65Y,S4X | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS | 1019 Подробнее о заказе |
|
| AOK2500L | MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247 | 1101 Подробнее о заказе |
|
| G2R1000MT17D | SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 | 879 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12886 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $5.96000 | $5.96 |
| 1000 | $3.26597 | $3265.97 |
| 2000 | $3.10268 | $6205.36 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.