BSC082N10LSGATMA1

BSC082N10LSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC082N10LSGATMA1
LIXINC Part # BSC082N10LSGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC082N10LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC082N10LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC082N10LSGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:13.8A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 110µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:104 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:7400 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):156W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIHG47N60AEL-GE3 SIHG47N60AEL-GE3 MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC 874

Подробнее о заказе

SSR4N60BTM SSR4N60BTM N-CHANNEL POWER MOSFET 8592

Подробнее о заказе

IRF740PBF IRF740PBF MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB 905

Подробнее о заказе

TSM480P06CP ROG TSM480P06CP ROG MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252 5244

Подробнее о заказе

DMT12H090LFDF4-13 DMT12H090LFDF4-13 MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN 999

Подробнее о заказе

NVTFS5C453NLWFTAG NVTFS5C453NLWFTAG MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN 924

Подробнее о заказе

PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 MOSFET N-CH 100V 37A TO220AB 98672

Подробнее о заказе

PSMN1R9-40YSDX PSMN1R9-40YSDX MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56 800

Подробнее о заказе

AON6280 AON6280 MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN 879

Подробнее о заказе

BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56 956

Подробнее о заказе

FDS6576 FDS6576 MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC 57033356

Подробнее о заказе

BSP129L6327 BSP129L6327 N-CHANNEL POWER MOSFET 183336

Подробнее о заказе

IPP65R150CFDAAKSA1 IPP65R150CFDAAKSA1 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 1395

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10122 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.78000$2.78
5000$1.27615$6380.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top