Только для справки
| номер части | T2N7002BK,LM |
| LIXINC Part # | T2N7002BK,LM |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | T2N7002BK,LM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | T2N7002BK,LM |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 400mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.5Ohm @ 100mA, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.1V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 0.6 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 40 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 320mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SOT-23-3 |
| упаковка / чехол: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| IRF242 | MOSFET N-CH 200V 16A TO3 | 1125 Подробнее о заказе |
|
| FDD6630A | MOSFET N-CH 30V 21A TO252 | 4431 Подробнее о заказе |
|
| BSZ0804LSATMA1 | MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON | 10906 Подробнее о заказе |
|
| IRFS7434PBF | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 978 Подробнее о заказе |
|
| FQD9N25TM-F080 | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK | 905 Подробнее о заказе |
|
| IPP80R1K4P7 | IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN | 1965 Подробнее о заказе |
|
| ATP404-H-TL-H | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 78955 Подробнее о заказе |
|
| PMN28UN,135 | MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP | 17870 Подробнее о заказе |
|
| IPI70N10S312AKSA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | 20314 Подробнее о заказе |
|
| RUL035N02FRATR | MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 | 3087 Подробнее о заказе |
|
| SI7370DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | 939 Подробнее о заказе |
|
| AOT470 | MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO220 | 882 Подробнее о заказе |
|
| BSS126IXTSA1 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 | 6452 Подробнее о заказе |
| В наличии | 85499 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.17000 | $0.17 |
| 3000 | $0.02805 | $84.15 |
| 6000 | $0.02530 | $151.8 |
| 15000 | $0.02200 | $330 |
| 30000 | $0.01980 | $594 |
| 75000 | $0.01760 | $1320 |
| 150000 | $0.01540 | $2310 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.