IPB80N06S2L06ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB80N06S2L06ATMA2 | IPB80N06S2L06ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S2L06ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB80N06S2L06ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S2L06ATMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB80N06S2L06ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB80N06S2L06ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPB80N06S2L06ATMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 180µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3800 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	250W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT20M20B2FLLG	MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX	881 Подробнее о заказе
IRFR4615PBF	MOSFET N-CH 150V 33A DPAK	880 Подробнее о заказе
SPI15N60CFD	N-CHANNEL POWER MOSFET	12324 Подробнее о заказе
T2N7002BK,LM	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3	85429 Подробнее о заказе
IRF242	MOSFET N-CH 200V 16A TO3	1122 Подробнее о заказе
FDD6630A	MOSFET N-CH 30V 21A TO252	4491 Подробнее о заказе
BSZ0804LSATMA1	MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON	10815 Подробнее о заказе
IRFS7434PBF	MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK	834 Подробнее о заказе
FQD9N25TM-F080	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	816 Подробнее о заказе
IPP80R1K4P7	IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN	1863 Подробнее о заказе
ATP404-H-TL-H	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	78938 Подробнее о заказе
PMN28UN,135	MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP	17827 Подробнее о заказе
IPI70N10S312AKSA1	MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3	20485 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015