Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC019N04LSATMA1
LIXINC Part # BSC019N04LSATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC019N04LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC019N04LSATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC019N04LSATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:27A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2900 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC019N04LSATMA1 Документы

if BSC019N04LSATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDPF12N50FT FDPF12N50FT MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F 1637

Подробнее о заказе
SIDR668DP-T1-GE3 SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK 870

Подробнее о заказе
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A 883

Подробнее о заказе
DMT10H072LFV-13 DMT10H072LFV-13 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 1000

Подробнее о заказе
SIRA52DP-T1-GE3 SIRA52DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 6765

Подробнее о заказе
AOT42S60L AOT42S60L MOSFET N-CH 600V 37A TO220 916

Подробнее о заказе
IRLS620A IRLS620A N-CHANNEL POWER MOSFET 2450

Подробнее о заказе
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP 921

Подробнее о заказе
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF IRFS7537 - 12V-300V N-CHANNEL PO 1336

Подробнее о заказе
BSZ0500NSIATMA1 BSZ0500NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON 4244

Подробнее о заказе
TQM050NB06CR RLG TQM050NB06CR RLG MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U 3412

Подробнее о заказе
IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO 4410

Подробнее о заказе
AOB25S65L AOB25S65L MOSFET N-CH 650V 25A TO263 1774

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 21547 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.71000$1.71
5000$0.78279$3913.95

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top