Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDU6680

FDU6680
Увеличить

Только для справки

номер части FDU6680
LIXINC Part # FDU6680
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 12A/46A IPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDU6680 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDU6680 Технические характеристики

номер части:FDU6680
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:12A (Ta), 46A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.23 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.3W (Ta), 56W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:I-PAK
упаковка / чехол:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FDU6680 Документы

if FDU6680 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 1359

Подробнее о заказе
SCT3105KLHRC11 SCT3105KLHRC11 SICFET N-CH 1200V 24A TO247N 1741

Подробнее о заказе
DMT12H090LFDF4-7 DMT12H090LFDF4-7 MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN 96888

Подробнее о заказе
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6 10567

Подробнее о заказе
FDD306P FDD306P POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 23200

Подробнее о заказе
HUF75842S3ST HUF75842S3ST MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK 4788

Подробнее о заказе
RW1E015RPT2R RW1E015RPT2R MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 12535

Подробнее о заказе
HUF76137P3 HUF76137P3 N-CHANNEL POWER MOSFET 13900

Подробнее о заказе
FDD86540 FDD86540 MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK 37636

Подробнее о заказе
AOTF10N65 AOTF10N65 MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3F 826

Подробнее о заказе
NDT452AP NDT452AP MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 6788

Подробнее о заказе
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB 1196

Подробнее о заказе
IXFA72N20X3 IXFA72N20X3 MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA 2512

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 83236 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.60000$0.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top