SPA11N80C3XKSA2 | IR (Infineon Technologies) SPA11N80C3XKSA2 | SPA11N80C3XKSA2 Inventory, Best Pricing

SPA11N80C3XKSA2

Увеличить

Только для справки

номер части	SPA11N80C3XKSA2
LIXINC Part #	SPA11N80C3XKSA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SPA11N80C3XKSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SPA11N80C3XKSA2 Технические характеристики

номер части:	SPA11N80C3XKSA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.9V @ 680µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1600 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	34W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO220-3
упаковка / чехол:	TO-220-3 Isolated Tab

TK31V60W,LVQ	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN	914 Подробнее о заказе
FCPF7N60	MOSFET N-CH 600V 7A TO220F	2786 Подробнее о заказе
FDS3682_NL	N-CHANNEL POWER MOSFET	2975 Подробнее о заказе
IRFZ46ZSTRLPBF	IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE	64902 Подробнее о заказе
FQP44N10	MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3	1276 Подробнее о заказе
APT5010JLL	MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP	840 Подробнее о заказе
SI4451DY-T1-E3	MOSFET P-CH 12V 10A 8SO	968 Подробнее о заказе
SIHJ6N65E-T1-GE3	MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8	2544 Подробнее о заказе
IXTH76P10T	MOSFET P-CH 100V 76A TO247	1314 Подробнее о заказе
R5011FNX	MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM	1401 Подробнее о заказе
IXTA80N12T2	MOSFET N-CH 120V 80A TO263	905 Подробнее о заказе
AOT240L	MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO220	1034 Подробнее о заказе
NVTFS4C05NTAG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	225928 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.06000	$3.06
500	$1.88718	$943.59

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015