PMFPB8032XP,115 | Nexperia PMFPB8032XP,115 | PMFPB8032XP,115 Inventory, Best Pricing

PMFPB8032XP,115

Увеличить

Только для справки

номер части	PMFPB8032XP,115
LIXINC Part #	PMFPB8032XP,115
Производитель	Nexperia
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PMFPB8032XP,115 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PMFPB8032XP,115 Технические характеристики

номер части:	PMFPB8032XP,115
Бренд:	Nexperia
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Nexperia
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.7A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	102mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.6 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	550 pF @ 10 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-HUSON-EP (2x2)
упаковка / чехол:	6-UDFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015