Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB35N12S3L26ATMA1

IPB35N12S3L26ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB35N12S3L26ATMA1
LIXINC Part # IPB35N12S3L26ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 120V 35A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB35N12S3L26ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB35N12S3L26ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB35N12S3L26ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):120 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:35A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:26.3mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 39µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):71W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB35N12S3L26ATMA1 Документы

if IPB35N12S3L26ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRF830ALPBF IRF830ALPBF MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK 1439

Подробнее о заказе
STD3NM60N STD3NM60N MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK 3245

Подробнее о заказе
AOT15S60L AOT15S60L MOSFET N-CH 600V 15A TO220 937

Подробнее о заказе
AOI2610E AOI2610E MOSFET N-CH 60V 46A TO251A 934

Подробнее о заказе
FQD12P10TM-F085 FQD12P10TM-F085 MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252 262213321

Подробнее о заказе
IXFH140N10P IXFH140N10P MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD 851

Подробнее о заказе
2SK3018-TP 2SK3018-TP MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323 3326

Подробнее о заказе
STF4N80K5 STF4N80K5 MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP 863

Подробнее о заказе
1HN04CH-TL-W 1HN04CH-TL-W MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH 6902

Подробнее о заказе
NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 2816

Подробнее о заказе
IRFR9310TRLPBF-BE3 IRFR9310TRLPBF-BE3 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK 3855

Подробнее о заказе
IPA60R520C6 IPA60R520C6 N-CHANNEL POWER MOSFET 948

Подробнее о заказе
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220 803

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 23820 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.63000$0.63
1000$0.61215$612.15

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top