IPB050N06NGATMA1

IPB050N06NGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB050N06NGATMA1
LIXINC Part # IPB050N06NGATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB050N06NGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB050N06NGATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB050N06NGATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 270µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:167 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6.1 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BST82,235 BST82,235 MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB 810

Подробнее о заказе

NVBLS0D5N04M8TXG NVBLS0D5N04M8TXG MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF 21142802

Подробнее о заказе

PMV16XN215 PMV16XN215 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 240857

Подробнее о заказе

IPD35N10S3L-26 IPD35N10S3L-26 IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU 962

Подробнее о заказе

SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC 2904

Подробнее о заказе

PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-60PLQ MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB 2986

Подробнее о заказе

CSD17484F4 CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR 50063

Подробнее о заказе

FQP4N90 FQP4N90 MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3 3108

Подробнее о заказе

SPD03N60S5XT SPD03N60S5XT SPD03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE 1844

Подробнее о заказе

IPL60R360P6SATMA1 IPL60R360P6SATMA1 MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK 831

Подробнее о заказе

SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP 2015

Подробнее о заказе

STB80NF03L-04T4 STB80NF03L-04T4 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 1427

Подробнее о заказе

AOD21357 AOD21357 MOSFET P-CH 30V 70A TO252 978

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19487 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.24000$1.24

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top