2SC5200N(S1,E,S) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SC5200N(S1,E,S)

2SC5200N(S1,E,S)

Увеличить

Только для справки

номер части	2SC5200N(S1,E,S)
LIXINC Part #	2SC5200N(S1,E,S)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SC5200N(S1,E,S) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SC5200N(S1,E,S) Технические характеристики

номер части:	2SC5200N(S1,E,S)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
ток - коллектор (ic) (макс.):	15 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	230 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	3V @ 800mA, 8A
ток - отсечка коллектора (макс.):	5µA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 1A, 5V
мощность - макс.:	150 W
частота - переход:	30MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P(N)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015