MJD44E3T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJD44E3T4G

MJD44E3T4G

Увеличить

Только для справки

номер части	MJD44E3T4G
LIXINC Part #	MJD44E3T4G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MJD44E3T4G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MJD44E3T4G Технические характеристики

номер части:	MJD44E3T4G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN - Darlington
ток - коллектор (ic) (макс.):	10 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	80 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	2V @ 20mA, 10A
ток - отсечка коллектора (макс.):	10µA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	1000 @ 5A, 5V
мощность - макс.:	1.75 W
частота - переход:	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	DPAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015