MJE5730G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJE5730G

MJE5730G

Увеличить

Только для справки

номер части	MJE5730G
LIXINC Part #	MJE5730G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS PNP 300V 1A TO220AB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MJE5730G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MJE5730G Технические характеристики

номер части:	MJE5730G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип транзистора:	PNP
ток - коллектор (ic) (макс.):	1 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	300 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	1V @ 200mA, 1A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1mA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	30 @ 300mA, 10V
мощность - макс.:	40 W
частота - переход:	10MHz
Рабочая Температура:	-65°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015