2SA2012-TD-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E

Увеличить

Только для справки

номер части	2SA2012-TD-E
LIXINC Part #	2SA2012-TD-E
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Описание	TRANS PNP 30V 5A PCP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SA2012-TD-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SA2012-TD-E Технические характеристики

номер части:	2SA2012-TD-E
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	PNP
ток - коллектор (ic) (макс.):	5 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	30 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	210mV @ 30mA, 1.5A
ток - отсечка коллектора (макс.):	100nA (ICBO)
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	200 @ 500mA, 2V
мощность - макс.:	3.5 W
частота - переход:	420MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-243AA
пакет устройств поставщика:	PCP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015