 |
Wolfspeed - a Cree company
|
Описание 350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET |
11 031 Подробнее о заказе< |
|
|
Rochester Electronics
|
Описание RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI |
10 990 Подробнее о заказе< |
|
|
Ampleon
|
Описание BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY |
10 869 Подробнее о заказе< |
|
|
Ampleon
|
Описание RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 |
11 047 Подробнее о заказе< |
|
|
NXP Semiconductors
|
Описание FET RF 133V 512MHZ TO270-2 |
10 851 Подробнее о заказе< |
|
|
Rochester Electronics
|
Описание RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI |
10 872 Подробнее о заказе< |
|
|
Rochester Electronics
|
Описание RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
10 900 Подробнее о заказе< |
|
|
Ampleon
|
Описание RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
10 910 Подробнее о заказе< |
|
|
Ampleon
|
Описание RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C |
10 841 Подробнее о заказе< |
|
|
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
|
Описание RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 |
655 650 962 Подробнее о заказе< |
|
|
Rochester Electronics
|
Описание COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE |
13 161 Подробнее о заказе< |
|
|
Rochester Electronics
|
Описание N-CHANNEL POWER MOSFET |
13 905 Подробнее о заказе< |
|
|
Tagore Technology
|
Описание RF GAN TRANSISTOR 12.5W |
10 849 Подробнее о заказе< |
|
|
NXP Semiconductors
|
Описание IC TRANS RF LDMOS |
10 969 Подробнее о заказе< |
|
|
NXP Semiconductors
|
Описание IC TRANS RF LDMOS |
10 937 Подробнее о заказе< |
|
|
Ampleon
|
Описание BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD |
11 045 Подробнее о заказе< |
|
|
STMicroelectronics
|
Описание TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF |
11 535 Подробнее о заказе< |
|
|
Ampleon
|
Описание RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A |
11 024 Подробнее о заказе< |
|
|
Wolfspeed - a Cree company
|
Описание RF MOSFET HEMT 50V 440224 |
11 073 Подробнее о заказе< |
|
|
Roving Networks / Microchip Technology
|
Описание RF PWR MOSFET 500V 10A |
10 828 Подробнее о заказе< |
|
